Details: Detalles técnicos
La velocidad de alto rendimiento mínimo de 10 años de retención de datos, construido en el algoritmo de nivelación de desgaste, construido en la detección y corrección de errores
Silencioso, sin piezas móviles del 100% a prueba de HW y SW Diseñado y Fabricado en EE.UU.
Capacidad: 64 GB Interfaz: SATA mSATA Interfaz SATA 3.0Gb / s NAND Flash: CTM
Factor de forma: JEDEC MO300B mSATA de tamaño completo de dispositivos de conector: 52pins PCIe tipo
Velocidad de lectura secuencial:: Rendimiento 80 MB / s (máx.) Velocidad de escritura secuencial: 40 MB / s (máx.) Tiempo de acceso: 0.1 ms
Resistencia: MTBF:> 1.000.000 horas de datos Fiabilidad: Construido en EDC / ECC función de integridad de datos: Mínimo de 10 años
Use Nivelación: Aumento de la resistencia dinámica y estática nivelación de desgaste Bad Block de Gestión: Unidad se auto identifican bloques dañados y reasignar físico a las direcciones lógicas para evitar malos bloques de energía de ciclo: por determinar
La velocidad de alto rendimiento mínimo de 10 años de retención de datos, construido en el algoritmo de nivelación de desgaste, construido en la detección y corrección de errores
Silencioso, sin piezas móviles del 100% a prueba de HW y SW Diseñado y Fabricado en EE.UU.
Capacidad: 64 GB Interfaz: SATA mSATA Interfaz SATA 3.0Gb / s NAND Flash: CTM
Factor de forma: JEDEC MO300B mSATA de tamaño completo de dispositivos de conector: 52pins PCIe tipo
Velocidad de lectura secuencial:: Rendimiento 80 MB / s (máx.) Velocidad de escritura secuencial: 40 MB / s (máx.) Tiempo de acceso: 0.1 ms
Resistencia: MTBF:> 1.000.000 horas de datos Fiabilidad: Construido en EDC / ECC función de integridad de datos: Mínimo de 10 años
Use Nivelación: Aumento de la resistencia dinámica y estática nivelación de desgaste Bad Block de Gestión: Unidad se auto identifican bloques dañados y reasignar físico a las direcciones lógicas para evitar malos bloques de energía de ciclo: por determinar
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Este producto fue introducido en nuestro catálogo el viernes 27 mayo, 2011.
